Вы смотрели:

Модули памяти в Волковыске

  • ПОДБОР ПО ПАРАМЕТРАМ

Все производители

МГц
  • Регионы
ПОЛЕЗНАЯ ИНФОРМАЦИЯ
Модули памяти или оперативная память компьютера необходимы для запоминания информации, которая требуется микропроцессору. Прежде чем модули памяти купить в Волковыске, определитесь с типом устройства: DDR, DDR2 и DDR3. Каждое из них обладает своей скоростью и представляет определенное поколение, но в основном это приборы с

Простейший модуль для выдачи sitemap.xml

Простейший (всего один файл) модуль, отдающий по запросу файл sitemap.xml
Доставка: загрузка через интернет

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память DDR4-3000 16Gb (2x8Gb) Crucial Ballistix Sport LT Gray (BLS2K8G4D30AESBK)

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-16-16, напряжение 1.35 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M378A1K43CB2-CTD

Тип памяти - DDR4, Форм-фактор - DIMM 288-контактный, Тактовая частота - 2666 МГц, Пропускная способность - 21300 МБ, с, Объем - 1 модуль 8 ГБ, Поддержка ECC - нет, Поддержка XMP - нет
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]

одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M378A1K43CB2-CTD

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Crucial Ballistix Sport LT 2x8GB DDR4 PC4-25600 BLS2K8G4D32AESBK

Тип памяти - DDR4, Форм-фактор - DIMM 288-контактный, Тактовая частота - 3200 МГц, Пропускная способность - 25600 МБ, с, Объем - 2 модуля по 8 ГБ, Поддержка ECC - нет, Поддержка XMP - есть
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Crucial 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (CT102464BF160B)

Код товара: 59588
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Crucial Ballistix Sport LT 2x8GB DDR4 PC4-24000 BLS2K8G4D30AESBK

Тип памяти - DDR4, Форм-фактор - DIMM 288-контактный, Тактовая частота - 3000 МГц, Пропускная способность - 24000 МБ, с, Объем - 2 модуля по 8 ГБ, Поддержка ECC - нет, Поддержка XMP - есть
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Crucial 16Gb DDR4 3200MHz Ballistix Sport LT 2x8Gb Kit Grey [BLS2K8G4D32AESBK]

Тип - DDR4 DIMM, Объем - 16 ГБ, Частота - 3200 МГц, PC-индекс - PC4-25600
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Samsung 16GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A2K43CB1-CTD

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M378A1G43TB1-CTD

Тип памяти - DDR4, Форм-фактор - DIMM 288-контактный, Тактовая частота - 2666 МГц, Пропускная способность - 21300 МБ, с, Объем - 1 модуль 8 ГБ, Поддержка ECC - нет, Буферизованная (Registered) - нет
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память DDR4-2666 8Gb Samsung (M378A1K43CB2-CTD)

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память для ноутбука 8Gb Crucial CT102464BF160B DDR3 1600 PC-12800

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука Объем: 8 Гб Тип: DDR3 Частота: 1600 МГц Стандарт памяти: PC3-12800 Тайминги: 11-11-11 Напряжение питания: 1.35 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Samsung 8GB DIMM DDR4 [M378A1G43TB1-CTDD0]

Код товара: 478430
Доставка: в Волковыск из Минска

Модуль памяти 8Gb Samsung M378A1G43TB1-CTD 2666MHz PC-21300 19-19-19 1.2V

Тип оборудования: модуль памяти Объем: 8 Гб Тип: DDR4 Частота: 2666 МГц Стандарт памяти: PC4-21300 Тайминги: 19-19-19 Двухсторонний модуль памяти: Да Напряжение питания: 1.2 В (DDR4
Доставка: в Волковыск из Минска

RAM SODIMM DDR3-1600 8Gb Crucial (CT102464BF160B)

модуль памяти DDR3 SO-DIMM, объем 8 ГБ, частота 1600 МГц, напряжение питания 1.35 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память DDR4-2666 16Gb (2x8Gb) HyperX Fury (HX426C16FB3K2/16)

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Crucial 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (CT102464BF160B)

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Crucial Ballistix Sport LT 2x8GB DDR4 PC4-24000 BLS2K8G4D30AESEK

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-16-16, напряжение 1.35 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память SODIMM DDR3-1600 8Gb Kingston (KVR16LS11/8)

модуль памяти DDR3 SO-DIMM, объем 8 ГБ, частота 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания от 1.35 В до 1.5 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Crucial 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (CT102464BF160B)

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Доставка: в Волковыск из Минска

Модуль памяти 8Gb Samsung M471B1G73DB0-YK0 1600MHz PC-12800 11-12-12 1.35V

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука Объем: 8 Гб Тип: SO-DIMM DDR3 Частота: 1600 МГц Стандарт памяти: PC3-12800 Тайминги: 11-12-12 Чип: 512Mb x 8-bit Напряжение питания: 1.35 В (DDR3
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память для ноутбука 8Gb Samsung M471B1G73EB0-YK0 1600 PC-12800 11-11-11 1.35V

Тип оборудования: модуль памяти для ноутбука Объем: 8 Гб Тип: SO-DDR3 Частота: 1600 МГц Стандарт памяти: PC3-12800 Тайминги: 11-11-11 Чип: 512M x 8-bit Напряжение питания: 1.35 В (DDR3
Доставка: в Волковыск из Минска

Оперативная память Samsung SO-DIMM DDR3 8Gb pc-12800 (M471B1G73EB0-YK000)

Код товара: 316498
Доставка: в Волковыск из Минска